檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "indium".ekeyword (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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因應無鉛化的實行，使的傳統的錫-鉛銲料逐漸被限制，如何降低迴銲的溫度為一重要的課題。因此本研究提出一新的構想，以固液擴散的方式為基礎，以銦作為連接層形成In/Ni/Cu結構的金屬層，利用銦低溶點(1…
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近年來，研究人員紛紛投入CIGSe太陽能薄膜電池真空製程的研究中，而真空製備的方法眾多，主要分為蒸鍍與濺鍍製程，本實驗使用真空濺鍍製程當作主要製程。目前高效率的製程多屬於共蒸鍍系統，最高可達到20%…
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本論文是探討In-InSe異質結構奈米線的成長機制及製備InSe奈米線之光感測元件。首先，此兩種奈米線皆以真空液壓鑄造方式製備，前驅物材料為不同比例之銦-硒系統金屬硒化物粉體，經均混後置於真空封口之…
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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本研究使用金屬鈦(Ti)、金屬鋁(Al)與氧化銦(In2O3)粉末組成三種不同配方之靶材，利用射頻磁控濺鍍法於p型矽基板上製備鈦鋁銦氧(TAIO)薄膜，並在氮氣氛下以快速退火(500°C~800°C…
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本研究主要分別以2:3與1:1兩部份的銦硒系統探討。第一部份，以高均勻性金奈米粒子催化的In2Se3奈米線透過氣-液-固（VLS）機制的快速熱退火（RTA）處理成長。利用金奈米顆粒催化成長In2Se…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中，並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材，經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜，期望藉由…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…